场效应晶体管(Field EffectTransistor缩写(FET))简称或者场效应管。贴片电容可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装最为常见，即0805、0603；而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的最多的为铝电解电容，由于其电解质为铝，所以其温度稳定性以及精度都不是很高，而贴片元件由于其紧贴电路版，所以要求温度稳定性要高。也称为一个单极型晶体管。它属于不同电压进行控制型半导体电子器件。具有中国输入输出电阻高(108～109Ω)、噪声小、功耗低、动态管理范围大、易于实现集成、没有得到二次发生击穿实验现象、安全教育工作发展区域宽等优点，现已逐渐成为双极型晶体管和功率以及晶体管的强大市场竞争者。场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。

与双极晶体管相比，其具有以下特征

(1) FET 是一种电压控制器件， VGS 控制 ID;

(2)场效应管的输入电流很小，因此其输入电阻很大;

(3)它是可以利用企业多数载流子导电，因此它的温度稳定性具有较好;

(4)它组成的放大系统电路的电压进行放大系数要小于三极管组成部分放大控制电路的电压信号放大系数;

(5)场效应晶体管具有较强的抗辐射能力;

(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

场效应管与普通产品晶体纳米管有何异同

FET 是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。当信号源允许的电流较小时，应使用场效应晶体管; 当信号电压较低且信号源允许的电流较大时，应使用场效应晶体管。场效应晶体管(FET)是一种利用大多数载流子导电的双极性器件，因此被称为单极性器件。

场效应管的优点

场效应晶体管(FET)是一种单极半导体器件，其中电场效应控制着电流的大小。它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等优点。它被用于大规模和超大规模集成电路。场效应器件以其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优点逐渐取代了集成电路中的晶体管。但它仍然很脆弱，虽然现在大多数都有内置的保护二极管，但很少注意，也会受到损坏。所以在你的申请中要小心。

主要作用

1.FET可用于放大。由于FET放大器的输入阻抗很高，耦合电容的容量可以很小，所以不需要使用电解电容。

2.场效应管很高的输入输出阻抗具有非常适合作交流阻抗进行变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以直接用作一个可变电阻。

4. 场效应管可以方便地用作恒流源。

场效应管可用作电子开关。